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ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen

Die VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen von ROHM Semiconductor sind hochzuverlässige TVS-Dioden. Diese Spannungsschutzvorrichtungen bieten eine Spitzenimpulsleistung von 600 W und eine Sperrschichttemperatur von 150°C. Die VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen umfassen eine epitaktische planare Siliziumstruktur. Diese TVS-Dioden kommen in einem kleinen Leistungsformtyp mit einem DO-214AA (SMB) Gehäuse. Diese Überspannungsschutzvorrichtungen sind ideal für Überspannungsschutz-Applikationen.

Merkmale

  • Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise
  • Hochzuverlässig
  • 600 W Pulsspitzenleistung
  • Kleine Formausführung

Applikationen

  • Überspannungsschutz
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Teilnummer Datenblatt Arbeitsspannung Klemmspannung Überschlagsspannung Ipp - Spitzen-Impulsstrom
VS26VUA1LBTBR1 VS26VUA1LBTBR1 Datenblatt 26 V 42.1 V 28.9 V 14.3 A
VS13VUA1LBTBR1 VS13VUA1LBTBR1 Datenblatt 13 V 21.5 V 13 V 28 A
VS30VUA1LBTBR1 VS30VUA1LBTBR1 Datenblatt 30 V 48.4 V 30 V 12.4 A
VS5V0UA1LBTBR1 VS5V0UA1LBTBR1 Datenblatt 5 V 10.5 V 5 V 57 A
VS10VUA1LBTBR1 VS10VUA1LBTBR1 Datenblatt 10 V 17 V 11.1 V 35.3 A
VS11VUA1LBTBR1 VS11VUA1LBTBR1 Datenblatt 11 V 18.2 V 12.2 V 33 A
VS12VUA1LBTBR1 VS12VUA1LBTBR1 Datenblatt 12 V 19.9 V 13.3 V 30.2 A
VS14VUA1LBTBR1 VS14VUA1LBTBR1 Datenblatt 14 V 23.2 V 15.6 V 25.9 A
VS15VUA1LBTBR1 VS15VUA1LBTBR1 Datenblatt 15 V 24.4 V 16.7 V 24.6 A
VS16VUA1LBTBR1 VS16VUA1LBTBR1 Datenblatt 16 V 26 V 17.8 V 23.1 A
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-24 | Aktualisiert: 2025-06-17