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ROHM Semiconductor SP8M Leistungs-MOSFETs

Die SP8M Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor   sind Bauteile mit niedrigem Durchlasswiderstand, die in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (SOP8) untergebracht sind. Der SP8M verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs sind außerdem halogenfrei, haben eine Sn100%-Beschichtung und sind AEC-Q101-qualifiziert.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (SOP8)
  • Bleifreie Beschichtung, RoHS-kompatibel
  • Halogenfrei
  • Sn100%-Beschichtung
  • AEC-Q101-qualifiziert

Applikationen

  • Schaltung

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB Datenblatt MOSFETs AECQ 30 V 5 A, 3.5 A 51 mOhms, 90 mOhms
SP8M31HZGTB SP8M31HZGTB Datenblatt MOSFETs AECQ 60 V 4.5 A 65 mOhms, 70 mOhms
SP8M21HZGTB SP8M21HZGTB Datenblatt MOSFETs AECQ 45 V 6 A, 4 A 25 mOhms, 46 mOhms
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Datenblatt MOSFETs AECQ 30 V 9 A, 7 A 18 mOhms, 28 mOhms
SP8M41HZGTB SP8M41HZGTB Datenblatt MOSFETs AECQ 80 V 3.4 A, 2.6 A 130 mOhms, 240 mOhms
SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB Datenblatt MOSFETs AECQ 100 V 3 A, 2.5 A 170 mOhms, 290 mOhms
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Datenblatt MOSFETs AECQ 30 V 5 A, 4.5 A 51 mOhms, 56 mOhms
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-08 | Aktualisiert: 2022-03-11