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ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor  Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.

Merkmale

  • Niedriger On-Widerstand
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • -55 °C bis 150 °C Betriebstemperaturbereich
  • Halogenfrei
  • Bleifreie Beschichtung
  • RoHS-konform
  • 100 % Rg- und UIS-getestet

Applikationen

  • Schalten
  • Motorantriebe

Derating-Kurve der Verlustleistung

Leistungsdiagramm - ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
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Teilnummer Datenblatt Id - Drain-Gleichstrom Qg - Gate-Ladung Rds On - Drain-Source-Widerstand Anstiegszeit Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min. Typische Einschaltverzögerungszeit Regelabschaltverzögerungszeit Transistorpolung Pd - Verlustleistung
AW2K21AR AW2K21AR Datenblatt 20 A 29 nC 3 mOhms 5.9 ns 30 V - 2 V, 10 V 2 V 8.9 ns 487 ns N-Channel 1.6 W
HP8KF7HTB1 HP8KF7HTB1 Datenblatt 18.5 A 20 nC 62 mOhms 11 ns 150 V 24 V 4 V 7.1 S 19 ns 40 ns N-Channel 26 W
HT8KF6HTB1 HT8KF6HTB1 Datenblatt 7 A 6.4 nC 214 mOhms 9.1 ns 150 V 20 V 4 V 2.5 S 11 ns 19 ns N-Channel 14 W
HT8MB5TB1 HT8MB5TB1 Datenblatt 12 A, 15 A 3.5 nC, 16.7 nC 47 mOhms, 56 mOhms 4.7 ns, 29 ns 40 V, 40 V 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 2.1 S, 6 S 5 ns, 9.6 ns 11 ns, 86 ns N-Channel, P-Channel 13 W
HT8MC5TB1 HT8MC5TB1 Datenblatt 10 A, 11.5 A 3.1 nC, 17.1 nC 90 mOhms, 109 mOhms 5 ns, 17 ns 60 V, 60 V 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 2.3 S, 5 S 5.3 ns, 9.7 ns 13 ns, 91 ns N-Channel, P-Channel 13 W
R8011KNZ4C13 R8011KNZ4C13 Datenblatt 11 A 37 nC 450 mOhms 25 ns 800 V 30 V 4.5 V 2.5 S 25 ns 70 ns N-Channel 139 W
R8019KNZ4C13 R8019KNZ4C13 Datenblatt 19 A 65 nC 265 mOhms 50 ns 800 V 30 V 4.5 V 2.5 S 35 ns 110 ns N-Channel 208 W
RS6E122BGTB1 RS6E122BGTB1 Datenblatt 155 A 50 nC 2.16 mOhms 19 ns 30 V 20 V 2.5 V 55 S 31 ns 66 ns N-Channel 89 W
HT8MD5HTB1 HT8MD5HTB1 Datenblatt 9 A, 8.5 A 3.1 nC, 17.2 nC 112 mOhms, 191 mOhms 5 ns, 7 ns 80 V, 80 V 20 V, 20 V 4 V, 4 V 1.8 S, 3 S 5.8 ns, 9.4 ns 12 ns, 74 ns N-Channel, P-Channel 13 W
RD3N03BATTL1 RD3N03BATTL1 Datenblatt 30 A 50 nC 64 mOhms 15 ns 80 V 20 V 4 V 13.4 S 15 ns 225 ns P-Channel 54 W
Veröffentlichungsdatum: 2025-06-15 | Aktualisiert: 2025-07-02