ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 Der N-Kanal- Siliciumcarbid Leistungs-MOSFET (SiC) ist ein für die Automobilindustrie geeignetes Bauelement das für hocheffiziente und zuverlässige Applikationen in rauen Umgebungen entwickelt wurde. Mit einem Drain-Source Nennspannung von 750 V und einem Dauersenkenstrom von 31 A (bei +25°C pro Chip) bietet dieser duale MOSFET Bauelement einen typischen Einschaltwiderstand von nur 45 mΩ pro Kanal, was geringere Leitungsverluste und eine verbesserte Wärmeleistung ermöglicht. Das in einer kompakten TO-263-7LA-Konfiguration verpackte ROHM SCT4045DWAHR unterstützt Designs mit hoher Dichte und ein effizientes Wärmemanagement.
Der SCT4045DWAHR eignet sich ideal für den Einsatz in Umrichter BordLadegeräten und anderen Antriebssystemen von Elektrofahrzeugen (EV) und profitiert von den inhärenten Vorteilen der SiC- Technologie wie z. B. Hochgeschwindigkeitsschalten, geringe Schaltverluste und ausgezeichneter Betrieb bei hohen Temperaturen. Die Qualifizierung gewährleistet eine robuste Leistung unter strengen Zuverlässigkeitsstandards und macht den MOSFET zu einer guten Wahl für die Elektrifizierung von Fahrzeugen der nächsten Generation.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert
- Niedriger On-Widerstand
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrverzögerung
- Kann einfach parallelgeschaltet werden
- Einfacher Antrieb
- TO-263-7LA-Gehäuse
- Große Kriechstrecke von 4,7 mm (Minimum)
- Bleifreie Elektrodenbeschichtung
- RoH-konform
Applikationen
- Automobil
- Schalter Modus Stromversorgung
Technische Daten
- 750 V maximale Drain-Source-Spannung
- Maximaler kontinuierlicher Drain-/Quelle -Strom
- 31 A at +25 °C
- 22 A at +100 °C
- 80 μA maximale Null- GATE- Spannung Drainstrom
- 61 A maximaler gepulster Drainstrom
- Body-Diode
- Maximaler Durchlassstrom
- 31 A gepulst
- 61 A Stoß
- 3,3 V Typische Durchlassspannung
- 9,3 ns typische Sperrverzögerung
- 89 nC Sperrverzögerungsladung
- 19 A typischer SpitzenSperrverzögerungsstrom
- Maximaler Durchlassstrom
- -4 V bis 21 V maximaler DC-Gate-Source-Spannungsbereich
- -4 V bis 23 V maximaler Bereich der Stoßspannung zwischen Gate und Source
- Maximal empfohlene Gate-Source- TreiberSpannung
- 15 V bis 18 V maximaler Einschaltbereich
- Ausschaltspannung: 0 V
- Ableitstrom zwischen Gate und Source: ±100 nA
- Schwellenspannungsbereich GATE von 2,8 V bis 4,8 V
- Drain-Source Einschaltwiderstand
- maximaler statischer Wert von 59 mΩ bei +25 °C
- typischer Wert von 45 mΩ
- 4 Ω typischer Eingangswiderstand am GATE
- 1.6K/W Verbindung zum Fall thermischer Widerstand
- 9,3 S typische Transkonduktanz
- Typische Kapazität
- 1.460 pF Eingang
- 69 pF Ausgang
- 5 pF Rückübertragung
- 90 pF effektiver Ausgang, energiebezogen
- Typisches GATE
- 63 nC insgesamt
- 14nC Quelle elektrische Ladung
- 19nC Drain elektrische Ladung
- Typische Zeit
- 5,1 ns Einschaltverzögerung
- 16 ns
- 27 ns Ausschaltverzögerung
- 10 ns Abfallzeit
- Typische Schaltverluste
- 112 μJ Einschaltverlust
- 17 μJ Abschaltzeit
- +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
Innerhalb der Schaltung
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