ROHM Semiconductor RTF016N05FRA Kleinsignal-MOSFET
Der RTF016N05FRA Kleinsignal-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen On-Widerstand, eine integrierte G-S-Schutzdiode und eine bleifreie Leitungsbeschichtung. Dieser MOSFET ist im kleinen oberflächenmontierbaren TUMT3-Gehäuse erhältlich und ist AEC-Q101-qualifiziert. Der RTF016N05FRA-MOSFET bietet 45 V Drain-Source-Spannung, ±1,6 A kontinuierlichen Drain-Strom und ±6,4 A gepulsten Drain-Strom. Dieser MOSFET arbeitet im Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und im Lagertemperaturbereich. Der Signal-MOSFET RTF016N05FRA ist ideal für den Einsatz im Schaltbereich.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Eingebaute G-S-Schutzdiode
- TUMT3 kleines oberflächenmontierbares Gehäuse
- Bleifreie Beschichtung von Leitungen
- RoHS-konform
- AEC-Q101-qualifiziert
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: 45 V
- Kontinuierlicher Drainstrom: ±1,6 A
- Gepulster Drainstrom: ±6,4 A
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- Verlustleistung: 0,8 W
- Maximaler Widerstand im Ein-Zustand: 190 mΩ
Schaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-16
| Aktualisiert: 2022-03-11