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ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG Automotive-Kleinsignal-MOSFETs

Die RRR0x0P03HZG Fahrzeug-Kleinsignal-MOSFETs von ROHM Semiconductor sind MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und integrierten G-S-Schutzdioden. Diese MOSFETs bieten -30 V Drain-Source-Spannung (VDSS) und 1 W Verlustleistung (PD). Der RRR030P03HZG MOSFET bietet einen Dauersenkenstrom (ID) von ±3 A und der RRR040P03HZG MOSFET bietet ±4 A ID. Diese MOSFETs sind AEC-Q101-konform und verfügen über bleifreie Beschichtungen. Die RRR0x0P03HZG MOSFETs von ROHM Semiconductor sind in einem kleinen TSMT3-Gehäuse zur Oberflächenmontage erhältlich und eignen sich für DC/DC-Wandler.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Eingebaute G-S-Schutzdiode
  • Bleifreie Leitungsbeschichtung
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • RoHS-konform
  • Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TSMT3)

Technische Daten

  • RRR030P03HZG
    • 75 mΩ Maximaler statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS (on))
    • ±3 A Dauersenkenstrom (ID)
  • RRR040P03HZG
    • 45 mΩ Maximaler statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS (on))
    • ±4 A Dauersenkenstrom (ID)
  • Gemeinsamer
    • -30 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
    • 1 WW Verlustleistung (PD)
    • -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich

Internes Schaltungsdiagramm

ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG Automotive-Kleinsignal-MOSFETs

Leistungsdiagramme

Leistungsdiagramm - ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG Automotive-Kleinsignal-MOSFETs

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Qg - Gate-Ladung Anstiegszeit Abfallzeit
RRR040P03HZGTL RRR040P03HZGTL Datenblatt MOSFETs MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T 4 A 45 mOhms 10.5 nC 30 ns 45 ns
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Veröffentlichungsdatum: 2020-11-18 | Aktualisiert: 2024-10-29