ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET

Der RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein für Fahrzeuganwendungen geeigneter MOSFET, der die AEC-Q101-Qualifikation besitzt. Die Bauteile bieten eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 100 V, einen statischen Einschaltwiderstand von 29 mΩ und einen Dauersenkenstrom von ±27 A. Die RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFETs von ROHM eignen sich ideal für Fahrzeuganwendungen, einschließlich ADAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

Merkmale

  • Kleines, leistungsstarkes Gehäuse reduziert die Montagefläche um maximal 64 %
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Realisierung einer hohen Montageverlässigkeit durch originale Anschluss- und Beschichtungsbehandlung

Applikationen

  • ADAS
  • Infotainment
  • Beleuchtung
  • Karosserie

Technische Daten

  • 100 V Drain-Source-Durchschlagspannung
  • 29 mΩ statischer Drain-Quellen-Einschaltwiderstand
  • ±27 A Dauersenkenstrom
  • 69 W Verlustleistung
  • HSMT8AG-Gehäuse

Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-14 | Aktualisiert: 2025-08-04