ROHM Semiconductor RQ3L060BG Leistungs-MOSFET
Der ROHM Semiconductor RQ3L060BG Leistungs-MOSFET von verfügt über eine Drain-Quellspannung (VDSS) von 60 V und einen Dauersenkenstrom von ±15,5 A. Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen ON-Widerstand (RDS(on)) von 38 mΩ und eine Verlustleistung von 14 W. Der RQ3L060BG MOSFET wird in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55°C bis 150°C betrieben und ist in einem halogenfreien, leistungsstarken kleinen Formgehäuse (HSMT8) verfügbar. Dieses RoHS-konforme Bauteil enthält eine bleifreie Beschichtung. Zu den typischen Applikationen gehören Schaltung, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Leistungsstarkes kleines Formgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg und UISTET
Technische Daten
- Drain-Quellspannung (VDSS): 60 V
- Gate-Source-Spannung (VGSS): ±20 V
- -55 °C bis 150 °C Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich
- RDS(on)(max.): 38 mΩ
- Dauersenkenstrom (ID): ±15,5 A
- 14WW Verlustleistung
Applikationen
- Schalten
- Motorantriebe
- DC/DC-Wandler
Innere Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-18
| Aktualisiert: 2024-02-01