ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
Die PIN-Dioden im Automobilstandard der Baureihe RNxMFH von ROHM Semiconductorsind sind in ultrakleinen Formkörpern erhältlich, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind. Diese Pin-Dioden sind hochzuverlässig und bieten eine niedrige Kapazität sowie einen niedrigen Hochfrequenz-Vorwärtswiderstand. Die Pin-Dioden RNxMFH von ROHM sind in epitaxialer Planarbauweise konstruiert und in den Gehäusen des Typs SOD-523 oder SOD-323FL erhältlich. Diese Pin-Dioden sind RoHs-konform und arbeiten in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.
Merkmale
- Hochzuverlässig
- Ultrakleiner Formtyp
- Niedriger Hochfrequenz-Vorwärtswiderstand (rF)
- Niedrige Kapazität
- Einzelkonfiguration
- AEC-Q101-qualifiziert
- Verfügbare Gehäusearten: SOD-523 oder SOD-323FL
- Epitaxialer Planaraufbau
- RoHS-konform
Applikationen
- RN242SMFH – Hochfrequenzschaltung
- RN781VMFH
- Automatische Gain-Regelungsschaltungen
- Antennenverstärker und -dämpfer
Technische Daten
- Maximale Durchlassspannung: 1,0 V
- Maximale Sperrspannung
- 30 V für RN242SMFH
- 100 V für RN781VMFH
- Maximaler Durchlassstrom
- 100 mA für RN242SMFH
- 50 mA für RN781VMFH
- Maximaler Rückstrom
- 0,1 µA für RN242SMFH
- 10 µA für RN781VMFH
- Maximale Kapazität zwischen den Anschlüssen
- 0,35 pF für RN242SMFH
- 0,4 pF für RN781VMFH
- Maximaler Hochfrequenz-Vorwärtswiderstand
- 3,0 Ω bei 3,0 mA/100 MHz für RN242SMFH, 1,5 Ω bei 10 mA/100 MHz
- 4.0 Ω für RN781VMFH
- Maximaler Sperrschichttemperaturbereich: +150 °C
- -55 °C bis +150 °C Lagertemperaturbereich
Schaltschema
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-29
| Aktualisiert: 2025-11-14