ROHM Semiconductor RGTV 650V Field-Stop-Trench-IGBTs
Die RGTV 650 V Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor bieten eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung in einem kleinen Gehäuse. Die RGTV IGBTs verfügen über eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung, einen geringen Schaltverlust und eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 2μs. Die RGTV 650 V Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM eignen sich hervorragend für Solarwechselrichter-, USV-, Schweiß-, IH- und PFC-Applikationen.
Merkmale
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringe Schaltverluste
- Kurzschlussfestigkeit: 2 μs
- Pb-freie Leitungsbeschichtung
- RoHS-konform
Applikationen
- Solar-Wechselrichter
- USV
- Schweißen
- IH
- PFC
Verwandte Produkte
ROHM Semiconductor Field Stop Trench IGBTs
High-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications.
Veröffentlichungsdatum: 2021-03-31
| Aktualisiert: 2022-03-11