ROHM Semiconductor RFxDNZ extrem schnelle Freilaufdioden
Die RFxDNZ superschnellen Freilaufdioden von ROHM Semiconductor sind Dual-Kathoden-Dioden mit niedriger Durchlassspannung und geringem Schaltverlust. Diese Freilaufdioden umfassen eine planare Silizium-Epitaxial-Bauweise. Die RFxDNZ Freilaufdioden werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gelagert. Diese schnellen Freilaufdioden arbeiten bei einer Sperrschichttemperatur von 150 °C und einem Sperrstrom von 10 μA. Die RFxDNZ extrem schnellen Freilaufdioden sind ideal für den Einsatz in der allgemeinen Gleichrichtung.
Merkmale
- Geringe Durchlassspannung
- Silizium-Epitaxial-Planarbauweise
- Niedriger Schaltverlust
- Gemeinsame Kathode, dualer Typ
Technische Daten
- Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- 150°C Sperrschichttemperatur bei Betrieb
- Sperrstrom: 10 µA
- RF1001T2DNZ Diode:
- Durchlassspannung bei IF=5 A: 0,93 V
- RF1601T2DNZ Diode:
- Durchlassspannung bei IF=8 A: 0,93 V
- RF2001T2DNZ Diode:
- Durchlassspannung bei IF=10 A: 0,93 V
- RF2001T3DNZ diode:
- Durchlassspannung bei IF=10 A: 1,3 V
- RF601T2DNZ Diode:
- Durchlassspannung bei IF=3 A: 0,93 V
Applikationen
- Allgemeines Gleichrichten
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-26
| Aktualisiert: 2022-03-11