ROHM Semiconductor RFVxBGE6STL extrem schnelle Freilaufdioden

Die extrem schnellen Freilaufdioden RFVxBGE6STL von ROHM Semiconductor  zeichnen sich durch hyperschnelle Erholung, extrem niedrige Schaltverluste und hohe Stromüberlastfähigkeit aus. Diese Freilaufdioden werden in einem Durchlassspannungsbereich von 1,6 V bis 2,8 V betrieben und bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gelagert. Die RFVxBGE6STL-Recovery-Dioden bieten 600 V repetitive Spitzensperrspannung, 600 V Sperrspannung und 150°C Sperrschichttemperatur. Diese superschnellen Freilaufdioden eignen sich hervorragend für den Einsatz in der allgemeinen Gleichrichtung für PFC im Dauerstrommodus.

Merkmale

  • Hyperschneller Wiederherstellungs-/harter Wiederherstellungs-Typ
  • Ultraniedriger Schaltverlust
  • Hohe Stromüberlastbarkeit
  • Silizium-Epitaxial-Planarbauweise

Technische Daten

  • RFV5BGE6S:
    • 5 A durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom
    • 60 A Spitzen-Stoßstrom in Vorwärtsrichtung
  • RFV8BGE6S:
    • 8 A durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom
    • 100 A Spitzen-Stoßstrom in Vorwärtsrichtung
  • 1,6 V bis 2,8 V Durchlassspannungsbereich
  • Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
  • 600 V wiederholte Spitzensperrspannung
  • 600 V Rückwärtsspannung
  • Sperrschichttemperatur: 150 °C

Technische Zeichnung

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RFVxBGE6STL extrem schnelle Freilaufdioden
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Teilnummer Datenblatt Max. Spitzenstrom If - Durchlassstrom Vf - Durchlassspannung
RFV5BGE6STL RFV5BGE6STL Datenblatt 60 A 5 A 2.8 V
RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Datenblatt 100 A 8 A 2.8 V
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-23 | Aktualisiert: 2022-03-11