ROHM Semiconductor RFVxBGE6STL extrem schnelle Freilaufdioden
Die extrem schnellen Freilaufdioden RFVxBGE6STL von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch hyperschnelle Erholung, extrem niedrige Schaltverluste und hohe Stromüberlastfähigkeit aus. Diese Freilaufdioden werden in einem Durchlassspannungsbereich von 1,6 V bis 2,8 V betrieben und bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gelagert. Die RFVxBGE6STL-Recovery-Dioden bieten 600 V repetitive Spitzensperrspannung, 600 V Sperrspannung und 150°C Sperrschichttemperatur. Diese superschnellen Freilaufdioden eignen sich hervorragend für den Einsatz in der allgemeinen Gleichrichtung für PFC im Dauerstrommodus.Merkmale
- Hyperschneller Wiederherstellungs-/harter Wiederherstellungs-Typ
- Ultraniedriger Schaltverlust
- Hohe Stromüberlastbarkeit
- Silizium-Epitaxial-Planarbauweise
Technische Daten
- RFV5BGE6S:
- 5 A durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom
- 60 A Spitzen-Stoßstrom in Vorwärtsrichtung
- RFV8BGE6S:
- 8 A durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom
- 100 A Spitzen-Stoßstrom in Vorwärtsrichtung
- 1,6 V bis 2,8 V Durchlassspannungsbereich
- Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- 600 V wiederholte Spitzensperrspannung
- 600 V Rückwärtsspannung
- Sperrschichttemperatur: 150 °C
Technische Zeichnung
Weitere Ressourcen
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| Teilnummer | Datenblatt | Max. Spitzenstrom | If - Durchlassstrom | Vf - Durchlassspannung |
|---|---|---|---|---|
| RFV5BGE6STL | ![]() |
60 A | 5 A | 2.8 V |
| RFV8BGE6STL | ![]() |
100 A | 8 A | 2.8 V |
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-23
| Aktualisiert: 2022-03-11

