ROHM Semiconductor RF4L070BG N-Kanal Leistungs-MOSFET
Der RF4L070BG N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein 60,0-V-MOSFET mit 7,0 A und einem niedrigen On-Widerstand von 27,0 mΩ, wodurch er sich ideal für Schaltapplikationen eignet. Der RF4L070BG hat eine (typische) Rückwärtserholungszeit von 25,0 ns und eine (typische) Rückwärtserholungsladung von 22,0 nC. Die Verlustleistung des Bauteils beträgt 2,0 W, und es verfügt über einen weiten Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 ℃ bis +150 ℃.
Der RF4L070BG N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist in einem 2,0 mm x 2,0 mm großen DFN2020-8S (HUML2020L8)-Gehäuse mit hoher Leistung erhältlich, das sich ideal für platzbeschränkte Applikationen eignet.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)): 27,0 mΩ
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 60,0 V
- Dauersenkenstrom (ID): ±7,0 A
- Gepulster Drainstrom (IDP): +28,0 A
- Gate-Source-Spannung (VGSS): +20,0 V
- Avalanche-Strom, Einzelimpuls (IAS): 7,0 A
- Avalanche-Energie, Einzelimpuls (EAS): 4,0 mJ
- Verlustleistung (PD): 2,0 W
- Sperrverzögerungszeit (trr): 25,0 ns
- Sperrverzögerungsladung (Qrr): 22,0 nC
- Sperrschichtbetrieb und Lagertemperaturbereich: -55 ℃ bis +150 ℃
- DFN2020-8S-Gehäuse (HUML2020L8) von 2,0 mm x 2,0 mm
- Bleifreie Beschichtung
- Halogenfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Schaltung
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Pin-Bezeichnungen und Innenschaltung
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2021-11-29
| Aktualisiert: 2022-03-11