ROHM Semiconductor RF4G100BG N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der RF4G100BG n-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein 40-V-, 10-A-MOSFET mit einem niedrigen Einschaltwiderstand vonΩ 14,2 mΩ, wodurch er sich hervorragend für Schaltapplikationen eignet. Der RF4G100BG hat eine (typische) Rückwärtserholungszeit von 27 ns und eine (typische) Rückwärtserholungsladung von 18 nC. Die Verlustleistung des Bauteils beträgt 2,0 W, und es verfügt über einen weiten Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 ℃ bis +150 ℃.
Der RF4G100BG N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist in einem leistungsstarken DFN2020-8S-Gehäuse (HUML2020L8) mit kleiner Form von 2,0 mm x 2,0 mm verfügbar, das sich hervorragend für platzbeschränkte Applikationen eignet.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)): 14,2 mΩ
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 40 V
- Dauersenkenstrom (ID): ±10 A
- Gepulster drainstrom (IDP): +40 A
- Gate-Source-Spannung (VGSS): +20 V
- Avalanche-Strom von 10 A, Einzelimpuls (IAS)
- 8,4 mJ Avalanche-Energie, Einzelimpuls (EAS)
- Verlustleistung (PD): 2,0 W
- Sperrverzögerungszeit (trr): 27 ns
- Sperrverzögerungsladung (Qrr): 18 nC
- Sperrschichtbetrieb und Lagertemperaturbereich: -55 ℃ bis +150 ℃
- DFN2020-8S-Gehäuse (HUML2020L8) von 2,0 mm x 2,0 mm
- Bleifreie Beschichtung
- Halogenfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Schaltung
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Veröffentlichungsdatum: 2021-11-29
| Aktualisiert: 2022-03-11