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ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden

ROHM Semiconductor  RBx8 Schottky-Barriere-Dioden mit epitaktischer planarer Siliziumstruktur bieten einen durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom von bis zu 1 A. Diese Dioden verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR von    und einen Spitzen-Durchlassstoßstrom von bis zu 5 A. Die RBx8 Schottky-Barriere-Dioden können in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C gelagert werden. Diese Dioden eignen sich hervorragend für Universal-Gleichrichterapplikationen.

Merkmale

  • Bis zu 1 A durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom
  • Hochzuverlässig
  • Niedriger IR
  • Bis zu 5 A Spitzen-Durchlassstoßstrom
  • -55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich
  • AEC-Q101-qualifiziert (RB178VYM-40FH, RB178VYM-60FH, RB568VYM150FH und RB588VYM100FH)
  • Ideal für allgemeine Gleichrichtung

Datenblätter

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Teilnummer If - Durchlassstrom Ifsm - Durchlass-Stoßstrom Ir - Sperrstrom Vf - Durchlassspannung Vr - Sperrspannung Vrrm - Periodische Sperrspannung
RB178VAM-40TR 1 A 5 A 300 nA 790 mV 40 V 40 V
RB178VYM-40FHTR 1 A 5 A 300 nA 790 mV 40 V 40 V
RB568VAM150TR 500 mA 3 A 400 nA 950 mV 150 V 150 V
RB568VYM150FHTR 500 mA 3 A 400 nA 950 mV 150 V 150 V
RB588VAM100TR 700 mA 150 nA 850 mV 100 V 100 V
RB588VYM100FHTR 700 mA 5 A 150 nA 850 mV 100 V 100 V
RB178VAM-60TR 1 A 5 A 800 nA 820 mV 60 V 60 V
RB178VYM-60FHTR 1 A 5 A 800 nA 820 mV 60 V 60 V
Veröffentlichungsdatum: 2025-05-20 | Aktualisiert: 2025-06-26