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ROHM Semiconductor RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden

 Die RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden von ROHM Semiconductor sind für den Einsatz in Schaltnetzteilen konzipiert und verfügen über einen Durchlassstoßstrom von 100 A. Diese Dioden sind hochzuverlässig, bieten eine niedrige Durchlassspannung und einen durchschnittlich gleichgerichteten Durchlassstrom von 40 A. Die RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden sind in drei Varianten mit den wiederkehrenden Spitzensperrspannungen 30 V, 40 V und 60 V erhältlich. Diese Dioden sind in einer Silizium-Epitaxie-Planar-Bauweise ausgeführt und werden in einem TO-263AB Gehäuse (D2PAK) geliefert. Die RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden sind RoHs-konform und arbeiten im Temperaturbereich von -55°°C bis 150°°C.

Merkmale

  • Hochzuverlässig
  • Leistungsform
  • Gemeinsamer Kathoden-Doppeltyp
  • Geringe Durchlassspannung (VF)
  • Silizium-Epitaxie-Planar-Aufbau
  • 100 A Spitzendurchlass-Stromstoß (IFSM)
  • 40 A durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom (ID)
  • RoHs-konform
  • 150 °C Sperrschichttemperatur
  • Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C

Zugehörige Produkte

ROHM Semiconductor RBRxx30ATL Schottky-Barriere-Dioden mit niedriger VF

Gemeinsamer Kathoden-Doppel-Diodentyp mit niedriger VF und 30 V-Sperrspannung in D2PAK- oder DPAK-Gehäusen.

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Teilnummer Datenblatt If - Durchlassstrom Ifsm - Durchlass-Stoßstrom Ir - Sperrstrom Vf - Durchlassspannung Vr - Sperrspannung Vrrm - Periodische Sperrspannung Maximale Betriebstemperatur
RBR40NS30ATL RBR40NS30ATL Datenblatt 40 A 100 A 600 uA 520 mV 30 V 30 V + 150 C
RBR40NS40ATL RBR40NS40ATL Datenblatt 40 A 100 A 430 uA 550 mV 40 V 40 V + 150 C
RBR40NS60ATL RBR40NS60ATL Datenblatt 40 A 100 A 800 uA 600 mV 60 V 60 V + 150 C
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-22 | Aktualisiert: 2025-08-04