ROHM Semiconductor RBQxx65ANZ Schottky-Barriere-Dioden mit niedrigem IR
Die Schottky-Barriere-Dioden RBQxx65ANZ von ROHM Semiconductor sind Kathoden-Dioden mit niedrigem IR für die allgemeine Gleichrichtung. Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt und sind in einem Power-Molded-Typ-Gehäuse (TO-220FN) verfügbar. Die RBQxx65ANZ Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Zuverlässigkeit und eignen sich hervorragend für Schaltnetzteile und allgemeine Gleichrichtung.
Merkmale
- Gemeinsame Kathode, dualer Typ
- Hochzuverlässig
- Niedriger IR
- Leistungsgeformter Typ (TO-220FN)
- Silizium-Epitaxial-Planarbauweise
Applikationen
- Allgemeines Gleichrichten
- Schaltnetzteile
Diodenstruktur und Abmessungen (in mm)
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Veröffentlichungsdatum: 2020-12-09
| Aktualisiert: 2024-10-31