ROHM Semiconductor PDZVTRx Zener-Dioden

Die PDZVTRx Zenerdioden von ROHM Semiconductor  sind Dioden mit kleiner Leistung, die sich durch eine epitaktische planare  Siliziumstruktur und hohe Zuverlässigkeit auszeichnen. Diese Zener-Dioden bieten eine Verlustleistung von 1.000 mW und eine Sperrschichttemperatur von 150°°C. Die PDZVTRx-Zener-Dioden sind für einen Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ausgelegt. Diese Zener-Dioden eignen sich hervorragend für den Einsatz in der Spannungsregelung und sind in einem geprägten Bandgehäuse verfügbar.

Merkmale

  • Planare Silizium-Epitaxiestruktur
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Kleiner Leistungsformtyp
  • Verlustleistung: 1.000 mW
  • Sperrschichttemperatur: 150 °C
  • Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C

Applikationen

  • Spannungsregelung

Leistungsdiagramme

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
PDZVTR2.0B PDZVTR2.0B Datenblatt Zener-Dioden Zener Diode 2.0V 1000mW Surface Mount
PDZVTR2.2B PDZVTR2.2B Datenblatt Zener-Dioden Zener Diode 2.2V 1000mW Surface Mount
PDZVTR2.7B PDZVTR2.7B Datenblatt Zener-Dioden Zener Diode 2.7V 1000mW Surface Mount
PDZVTR3.0B PDZVTR3.0B Datenblatt Zener-Dioden Zener Diode 3.0V 1000mW Surface Mount
PDZVTR3.3B PDZVTR3.3B Datenblatt Zener-Dioden Zener Diode 3.3V 1000mW Surface Mount
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-26 | Aktualisiert: 2022-03-11