ROHM Semiconductor PBZTBR1x Zener-Dioden
ROHM Semiconductor PBZTBR1x Zener-Dioden verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit und ein kleines Power-Mold-Bauelement mit Silizium-Epitaxial-Planarstruktur. Diese Zener-Dioden bieten eine Verlustleistung von 1000mW und eine Sperrschichttemperatur von 150°C. Die PBZTBR1x Zenerdioden werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C gelagert. Diese Zener-Dioden sind in einem DO-214AA-Gehäuse (SMB) verfügbar. Die PBZTBR1x Zener-Dioden AR werden bei der Spannungsregelung verwendet.
Merkmale
- Hochzuverlässig
- kleines Power-Mold-Bauelement
- Silizium-Epitaxial-Planarstruktur
- 1000mW Verlustleistung
- 150 °C Sperrschichttemperatur
- 55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich
Maßbild
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| Teilnummer | Vz - Zener-Spannung | Zener-Strom | Teststrom | Ir - Sperrstrom |
|---|---|---|---|---|
| PBZTBR110B | 10 V | 10 uA | 40 mA | 10 uA |
| PBZTBR111B | 11 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR112B | 12 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR113B | 13 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR115B | 15 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR116B | 16 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR118B | 18 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR12.0B | 2 V | 200 uA | 40 mA | 10 uA |
| PBZTBR12.2B | 2.2 V | 200 uA | 40 mA | 200 uA |
| PBZTBR12.4B | 2.4 V | 200 uA | 40 mA | 200 uA |
Veröffentlichungsdatum: 2024-03-07
| Aktualisiert: 2024-04-02