ROHM Semiconductor ESDxVFMFHT106 Überspannungsschutzvorrichtungen
ROHM Semiconductor ESDxVFMFHT106 Überspannungsschutzvorrichtungen sind hochzuverlässig mit einem epitaktischen planaren Silizium-Aufbau. Diese Entstörer bieten eine gegenläufige Sperrspannung bis zu 24 V und eine Spitzenimpulsleistung bis zu 130 W. Die Überspannungsschutzvorrichtungen ESDxVFMFHT106 sind AEC-Q101-qualifiziert und in einem SOT-323-Gehäuse untergebracht. Diese Überspannungsschutzvorrichtungen sind ideal für ESD-Schutz/Überspannungsschutz.
Merkmale
- Epitaktischer planarer Silizium-Aufbau
- Hochzuverlässig
- Spannungsbereich im Sperrzustand:
- 12 V (ESD16VFMFH)
- 16 V (ESD18VFMFH)
- 24 V (ESD27VFMFH)
- 110 W (ESD16VFMFH und ESD18VFMFH) und 130 W (ESD27VFMFH) Spitzenimpulsleistungsbereich
- Kleine Formausführung
- AEC-Q101-qualifiziert
- SOT-323-Gehäuse
Applikationen
- ESD-Schutz/Überspannungsschutz
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| Teilnummer | Datenblatt | Arbeitsspannung | Klemmspannung | Überschlagsspannung | Ipp - Spitzen-Impulsstrom | Pppm - Peak Pulse Power Dissipation (Spitzenimpuls-Verlustleistung) | Cd - Diodenkapazität |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ESD16VFMFHT106 |  |
12 V | 30 V | 16 V | 4 A | 110 W | 13 pF |
| ESD18VFMFHT106 | |
16 V | 34 V | 18 V | 3.5 A | 110 W | 12 pF |
| ESD27VFMFHT106 | |
24 V | 45 V | 27 V | 3 A | 130 W | 8 pF |
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-23
| Aktualisiert: 2024-06-11