ROHM Semiconductor DA221ZMT2L Schaltdiode
Die Schaltdiode DA221ZMT2L von ROHM Semiconductor zeichnet sich durch eine kleine Bauform, hohe Zuverlässigkeit, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine planare Epitaxial-Struktur aus. Diese Schaltdiode bietet 20 V Sperrspannung, 100 mA durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom und 200 mA Durchlassstrom. Die Diode DA221ZMT2L bietet eine Verlustleistung von 150 mW, eine Sperrschichttemperatur von 150 °C und eine maximale Durchlassspannung von 1 V. Diese Schaltdiode ist ideal für den Einsatz in Hochgeschwindigkeitsschaltapplikationen
Merkmale
- Kleiner Formtyp
- Hohe Zuverlässigkeit
- Hochgeschwindigkeitsschaltung
- Planare Epitaxial-Struktur
Technische Daten
- Sperrspannung: 20 V
- Durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom: 100 mA
- Durchlassstrom: 200 mA
- Verlustleistung: 150 mW
- Sperrschichttemperatur: 150 °C
- Maximale Durchlassspannung: 1 V
- Spitzen-Durchlassstoßstrom: 300 mA
- Sperrstrom: 0,1 μA
- Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Technische Zeichnung
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-26
| Aktualisiert: 2022-03-11