ROHM Semiconductor BV1Hx High-Side-Schalter

ROHM BV1Hx   AEC-Q100 PMICs (Leistungsmanagement-ICs) sind High-Side-Schalter mit einer integrierten CMOS-Steuereinheit und Leistungs-MOSFET, die auf einem Einzelchip montiert sind. Diese Bauteile verfügen über eine Diagnoseausgangsfunktion für die Erkennung von Anomalien. Die BV1Hx PMICs verfügen über eine eingebaute Überstrombegrenzungsfunktion, eine dual-Übertemperaturschutzfunktion (TSD), eine Open-Load-Erkennungsfunktion, eine stromsparende Ausgangs-Aus-Funktion und Kurzschluss-zu-VCC-Erkennungsfunktionen. Der BV1HJ045EFJ-C verfügt über eine Überstrombegrenzung von 5,0 A bis 12,0 A. Die BV1HL045EFJ-C und BV1HAL85EFJ haben eine Überstrombegrenzung von 2,5 A bis zu 6,5 A.

Die ROHM Semiconductor BV1Hx High-Side-Lastschalter sind in einem HTSOP-J8-Gehäuse erhältlich und sind für den Einsatz in Fahrzeug- und Energiemanagement-Anwendungen AEC-Q100-qualifiziert.

Merkmale

  • AEC-Q100-qualifiziert (Klasse 1)
  • Monolithischer Power-Management-IC mit einer Steuereinheit (CMOS) und einem Leistungs-MOSFET auf einem einzigen Chip
  • Eingebaute duale thermische Abschaltung (TSD)
    • Sperrschichttemperaturschutz
    • Der ΔTj-Schutz erkennt einen plötzlichen Temperaturanstieg des Power-MOS
  • Integrierte Überstromschutzfunktion (OCP)
  • Integrierte Übertemperaturschutzfunktion (TSD)
  • Integrierte Erkennungsfunktion für offene Last
  • Integrierte Funktion zur Erkennung von Kurzschlüssen nach VBB
  • Eingebaute Niederspannungs-Ausgangs-AUS-Funktion (UVLO)
  • Integrierter Batterie-Verpolungsschutz
  • Eingebauter Diagnoseausgang
  • Überstrombegrenzung
    • BV1HJ045EFJ-c: 5,0 A bis 12,0 A
    • BV1HL045EFJ-c: 2,5 A bis 5,5 A
  • Ein-N-Kanal-MOSFET-Schalter mit niedrigem Durchlasswiderstand
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
  • HTSOP-J8-Gehäuse von 4,9 mm x 6,0 mm x 1,0 mm

Applikationen

  • Widerstandslasten
  • Induktivitätslasten
  • Kapazitätslasten
  • Leistungsmanagement
  • Fahrzeuganwendungen
  • Multifunktionsgeräte und Fernseher
  • Überstromüberwachung von verschiedenen Stromleitungen

Blockdiagramme

ROHM Semiconductor BV1Hx High-Side-Schalter

Typische Applikations-Schaltungen

ROHM Semiconductor BV1Hx High-Side-Schalter

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor BV1Hx High-Side-Schalter
Veröffentlichungsdatum: 2021-03-16 | Aktualisiert: 2025-07-25