ROHM Semiconductor BV1HBx High-Side-Fahrzeugschalter

 Die BV1HBx High-Side-Fahrzeugschalter von ROHM Semiconductor integrieren einen Überstrom-Lastschutz und einen Abschaltmechanismus mit zwei Temperaturen. Das begrenzt die internen thermischen Transienten und reduziert die mechanische Belastung der ICs. Die BV1HBx Schalter verfügen über eine niedrigeBetriebsspannung (Anlassen) von 4 V und eine intelligente aktive Klemm-Schaltung, um die magnetische Energie abzuleiten und induktive Lasten abzuschalten. Diese Schalter verfügen außerdem über integrierte Strommessung und Diagnosefunktionen. Diese liefern Echtzeitinformationen zum Laststrom und Rückmeldungen zu offenen Kreisen oder Kurzschlüssen sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand. Ein 3 V und 5 V CMOS-kompatibler Eingangsstift bietet eine direkte Verbindung zum Mikrocontroller ohne spezielle Schnittstellen oder Pegelsteller. Die BV1HBx High-Side-Schalter arbeiten im Temperaturbereich von -40°°C bis 150 °°C. Typische Applikationen sind Treiber für ohmsche, induktive und kapazitive Lasten, MOSFET-, Relais- und Sicherungsersatz sowie intelligente Leistungsbauteile.

Merkmale

  • AEC-Q100-qualifiziert
  • Kurzschluss-Lastschutz
  • Überstrombegrenzung
  • Aktiver Klemm- und Überspannungsschutz
  • Abschaltung bei doppelter Temperatur
  • Unterspannungssperre
  • Integrierte Strommessungschaltung
  • Schutz vor Erdungsverlust
  • Diagnose von offener Last und Kurzschluss an der Batterie

Technische Daten

  • 6 V bis 28 V Versorgungsnennspannungsbereich
  • Betriebsspannung von 4 V (Anlauf)
  • 41 V Überspannungsschutz
  • Stromverbrauch im Ruhemodus von 0,5 µA
  • On-Widerstand:
    • 9 mΩ (BV1HB008EFJ-C)
    • 12 mΩ (BV1HB012EFJ-C)
    • 20 mΩ (BV1HB020EFJ-C)
    • 40 mΩ (BV1HB040EFJ-C)
    • 90 mΩ (BV1HB090EFJ-C)
    • 180 mΩ (BV1HB180EFJ-C)
  • Überstromgrenze:
    • 66 A (BV1HB008EFJ-C)
    • 56 A (BV1HB012EFJ-C)
    • 51 A (BV1HB020EFJ-C)
    • 30 A (BV1HB040EFJ-C)
    • 15 A (BV1HB090EFJ-C)
    • 7,5 A (BV1HB180EFJ-C)
  • Betriebsstrom:
    • 3,5 mA (BV1HB008EFJ-C und BV1HB012EFJ-C)
    • 3 mA (BV1HB020EFJ-C und BV1HB040EFJ-C)
    • 2,7 mA (BV1HB090EFJ-C)
    • 2,4 mA (BV1HB180EFJ-C)
  • Sperrschichttemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C

Applikationen

  • Treiber für resistive, induktive und kapazitive Lasten
  • Austausch von MOSFET, Relais und Sicherung
  • Intelligentes Leistungsgerät für 12 V Fahrzeug
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Teilnummer Datenblatt Betriebszeit - Max. Sperrzeit - Max. On-Widerstand - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur
BV1HB008EFJ-CE2 BV1HB008EFJ-CE2 Datenblatt 150 us 100 us 22 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB020EFJ-CE2 BV1HB020EFJ-CE2 Datenblatt 150 us 100 us 44 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB180EFJ-CE2 BV1HB180EFJ-CE2 Datenblatt 100 us 100 us 360 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB012EFJ-CE2 BV1HB012EFJ-CE2 Datenblatt 150 us 100 us 35 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB090EFJ-CE2 BV1HB090EFJ-CE2 Datenblatt 100 us 100 us 180 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB040EFJ-CE2 BV1HB040EFJ-CE2 Datenblatt 100 us 100 us 90 mOhms - 40 C + 150 C
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-22 | Aktualisiert: 2025-08-19