ROHM Semiconductor BSS138WAHZG Kleinsignal-n-Kanal-MOSFET mit 60 V und 310 mA

ROHM Semiconductor  BSS138WAHZG Kleinsignal-n-Kanal-MOSFETs mit 60 V und 310 mA haben verschiedene Funktionen zur Optimierung von Leistung und Zuverlässigkeit. Der BSS138WAHZG MOSFET von ROHM Semiconductor hat ein schnelles Schaltvermögen und eine extrem niedrige Spannungsansteuerung bei 2,5 V. Das Bauelement gewährleistet einen effizienten Betrieb in verschiedenen Applikationen. Darüber hinaus verbessert sein ESD-Schutz bis zu 2 kV (HBM) die Haltbarkeit. Da es blei- und halogenfrei ist und RoHS einhält, entspricht es den Umweltstandards. Zusätzlich macht seine AEC-Q101-Qualifizierung es für Fahrzeuganwendungen geeignet.

Merkmale

  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Antrieb mit ultra-niedriger Spannung (2,5-V-Antrieb)
  • ESD-Schutz bis zu 2 kV (HBM)
  • Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
  • Halogenfrei
  • AEC-Q101-qualifiziert

Applikationen

  • Schaltungen
  • Low-Side-Lastschalter
  • Relais-Treiber

Interne Schaltung

ROHM Semiconductor BSS138WAHZG Kleinsignal-n-Kanal-MOSFET mit 60 V und 310 mA
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-14 | Aktualisiert: 2024-06-20