ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003 Evaluierungskit
Das ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003 Evaluierungskit ist eine kompakte und effiziente Plattform, die zur Evaluierung des BM3G005MUV 650-V-GaN-Leistungsstufen-ICs ausgelegt ist, der einen Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber und einen GaN-HEMT in einem einzigen Gehäuse enthält. Dieses Evaluierungsboard von ROHM Semiconductor unterstützt eine Hochfrequenzschaltung und ist für das Testen von hartschaltenden IN-Topologien, wie z. B. Totem-Pole-Blindleistungskompensation (PFC) und Halbbrückenwandler optimiert. Das Kit ermöglicht Benutzern die Evaluierung der wichtigsten Leistungsmetriken, einschließlich Schaltverhalten, thermischen Eigenschaften und EMI-Leistung. Mit einem kleinen Formfaktor und einer hohen Leistungsdichte eignet sich das BM3G005MUV-EVK-003 Kit hervorragend für die Entwicklung von AC/DC- und DC/DC-Wandlern, Telekommunikations-Netzteilen, Industrie-Leistungssysteme und kompakte Adapter der nächsten Generation, bei denen Wirkungsgrad, Geschwindigkeit und Platzeinsparungen entscheidend sind.Merkmale
- BM3G005MUV GaN-FET, 650 V, 50 mΩ
- Stromversorgungsspannungsbereich: 6,83 V bis 35 V
- Drain-Spannung: 650 V
- Maximaler VDD-Ruhestrom: 0,24 mA
- Typische Einschalt-Anstiegsrate: 22 V/ns
- -40 °C bis +105 °C Betriebstemperaturbereich
- Eingangsschwellwerten
- Positiver Going-Bereich: 2,35 V bis 3,05 V
- Negativer Going-Bereich: 0,87 V bis 1,53 V
- Kann herkömmliche diskrete Leistungsschalter, wie z. B. einen Super-Junction-MOSFET, ersetzen
- Größe: 19 mm x 22 mm
Applikationen
- AC/DC- und DC/DC-Wandler
- PFC-Schaltungen
- Adapter und Ladegeräte
- Telekommunikations- und Server-Netzteile
- Erneuerbare Energiesysteme
Erforderliche Ausrüstung
- DC-Netzteil (400 V DC, 100 W oder mehr)
- DC-Netzteil (30 V DC, 10 W oder mehr)
- Oszilloskop
- Oszillator
Messschaltung
Verbindungsdiagramm
Schaltschema
Veröffentlichungsdatum: 2025-05-13
| Aktualisiert: 2025-06-01
