ROHM Semiconductor 30-V-Automotive-Schottky-Barriere-Dioden

ROHM Semiconductor 30-V-Automotive-Schottky-Barrieredioden sind AEC-Q101-qualifizierte Dioden zur Oberflächenmontage des Typs Power Mold. Diese Schottky-Barrieredioden zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit, einen extrem niedrigen Rückstrom (IR) und einen planaren Silizium-Epitaxieaufbau aus. Die Dioden bieten eine Durchlassspannung (VF(max)) von 0,72 V und eine Sperrspannung (VR) von 30 V. Diese Dioden zeichnen sich durch einen Rückstrom (IR) von 0,005 mA und einen Durchlassstrom (IF) von 5 A aus. Die Dioden sind in einem TO-252-Gehäuse (DPAK) verfügbar und RoHS-konform. Diese Dioden eignen sich für Schaltnetzteile.

Merkmale

  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Extrem niedriger Rückstrom (IR)
  • Planare Silizium-Epitaxiestruktur
  • Oberflächenmontage
  • TO-252-Gehäuse (DPAK)

Technische Daten

  • Durchlassspannung (VF): 0,72 V
  • Sperrspannung (VR): 30 V
  • Sperrstrom (IF): 5 µA
  • Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C

Maßbild

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor 30-V-Automotive-Schottky-Barriere-Dioden
Veröffentlichungsdatum: 2023-08-18 | Aktualisiert: 2025-11-03