Renesas Electronics Synergy™-Plattform
Die Synergy™-Plattform von Renesas ist eine komplette und qualifizierte Plattform, welche die Embedded-Entwicklung beschleunigt, Innovationen inspiriert und eine Differenzierung ermöglicht. Die Synergy™-Plattform bietet eine schnelle Markteinführung von komplexen Systemdesigns. Zu dieser kompletten und qualifizierten Plattform gehören Software, eine skalierbare Mikrocontroller-Produktfamilie und Development Tools. Beginnen Sie Ihre IoT-Applikationssoftware-Entwicklung auf API-Ebene und sparen Sie Monate an Zeit und Aufwand. Die Plattform sorgt dafür, dass Produktinnovationen auf einer soliden, robusten Technologie-Grundlage stehen, die für MCU-basierte Produktdesigns optimiert ist.Zur Synergie-Plattform von Renesas gehören vier verschiedene Baureihen von Aufwärts-Software-, Architektur- und Pin-kompatiblen Synergy-Mikrocontrollern. Die MCUs der fortschrittlichen S7-Baureihe (leistungsstark), S5-Baureihe (hohe Integration), S3-Baureihe (hoher Wirkungsgrad) und S1-Baureihe (mit sehr geringem Stromverbrauch) verwenden die gängige ARM® Cortex®-M-CPU-Architektur. Die Bauteile implementieren eine einfache Konnektivität, felsenfeste Sicherheit, zuverlässige Sicherheit und erleichtern die Erstellung von einfach zu bedienenden Mensch-Maschine-Schnittstellen.
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Übersicht
S1
Merkmale
• Cortex-M0+, 32 MHz, 1,6 V bis 5,5 V, 440 nA (Software-Standby-Modus), 70 μA/MHz
• 18-Kanal-14-Bit-ADC
• Kapazitive Touch-Steuerungseinheit mit 31 Kanälen
• USBFS, CAN
• NIST-konforme Sicherheitsfunktionen: Hardware-Beschleunigung für Kryptografie und Hash-Algorithmen, echter Zufallsnummerngenerator, sichere Schlüsselerzeugung und Speicherung, eindeutige ID und mehr
• Echtzeittakt-SRAM-Gleichwertigkeitsfehler-Prüfung, ADC-Diagnostik, CRC-Rechner, Flash-Bereichschutz
• 130 nm Stromspar-Prozess
• Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C
• GPIO-Pins: bis zu 51
• QFN-Gehäuse: 40, 48, 64
• LQFP-Gehäuse: 48, 64
• LGA-Gehäuse: 36
S3
Merkmale
• Cortex-M4, 48 MHz, 1,6 V bis 5,5 V
• 130 nm Stromspar-Prozess
• Externer Speicher-Bus
• 1 MB Flash, 192 KB SRAM, Speicherspiegelfunktion, Speicherschutzeinheit
• 12-Bit-A/D, programmierbarer Verstärker
• 28-Kanal-14-Bit-A/D
• NIST-konforme Sicherheitsfunktionen: Hardware-Beschleunigung für Kryptografie und Hash-Algorithmen, echter Zufallsnummerngenerator, sichere Schlüsselerzeugung und Speicherung, eindeutige ID und mehr
• Kapazitive Touch-Steuerungseinheit mit Segment-LCD-Controller
• ECC und Gleichwertigkeitsfehlerprüfung in SRAM, ADC-Diagnostik, CRC-Rechner
• 130 nm Stromspar-Prozess
• Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C
• GPIO-Pins: bis zu 124
• LQFP-Gehäuse: 64, 100, 144
• BGA-Gehäuse: 121
• LGA-Gehäuse: 100, 145
• QFN-Gehäuse: 64
S5
Merkmale
• Cortex-M4, 120 MHz, 2,7 V bis 3,6 V, 117 μA/MHz
• 40 nm Hochleistungsprozess
• Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C
• Umfassende und flexible Konnektivität einschließlich USBHS, Ethernet-PTP, externer QSPI-Speicher-Bus und mehr
• 2 MB Flash, 640 KB SRAM, Speicherspiegelfunktion, Speicherschutzeinheit
• 12-Bit-A/D, programmierbarer Verstärker
• JPEG-Codec, 2D-Drawing-Engine, WVGA (800x480) mit 32-Bit-Farbe
• Funktionen zur Anpassung der funktionalen Sicherheitsanforderungen
• Branchenführende NIST-konforme Sicherheitsfunktionen: Hardware-Beschleunigung für Kryptografie und Hash-Algorithmen, echter Zufallsnummerngenerator, sichere Schlüsselerzeugung und Speicherung, eindeutige 128-Bit-ID und mehr
S7
Merkmale
• Cortex-M4, 240 MHz, 2,7 V bis 3,6 V, 75 μA/MHz
• 40 nm Hochleistungsprozess
• USBHS, IEEE 1588 PTP-Ethernet-MAC, externer QSPI-Speicherbus
• 4 MB und 3 MB Flash, 640 KB SRAM, Speicherspiegelfunktion, Speicherschutzeinheit
• Branchenführende NIST-konforme Sicherheitsfunktionen: Hardware-Beschleunigung für Kryptografie und Hash-Algorithmen, echter Zufallsnummerngenerator, sichere Schlüsselerzeugung und Speicherung, eindeutige 128-Bit-ID und mehr
• JPEG-Codec, 2D-Drawing-Engine, WVGA (800x480) mit 32-Bit-Farbe
• Funktionen zur Anpassung der funktionalen Sicherheitsanforderungen
• 12-Bit-A/D, programmierbarer Verstärker
• 40 nm Hochleistungsprozess
• Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +105 °C
• GPIO-Pins: bis zu 172
• LQFP-Gehäuse: 100, 144, 176
• BGA-Gehäuse: 176, 224
• LGA-Gehäuse: 145
