Renesas / Dialog AT25SF041B 4 MBit SPI serieller Flash-Speicher
Der AT25SF041B 4 MBit SPI serielle Flash-Speicher von Renesas / Dialog ist Teil der Standardklassenspeicherlösung für die Code- und Datenspeicherung von Renesas. Das Lösungsdesign ist für Systeme mit 3 V ausgelegt, bei denen der Programmcode vom Flash-Speicher in einen eingebetteten oder externen RAM für die Ausführung folgt.
Die AT25SF041B-Architektur von Renesas/Dialog umfasst Löschblockgrößen, die zur Erfüllung aktueller Code- und Datenspeicherapplikationen optimiert sind, sowie drei Sicherheitsregisterseiten für eine einzigartige Bauteilserialisierung, Speicher für elektronische Seriennummernspeicher auf Systemebene und gesperrte Schlüsselspeicherung.
Merkmale
- Universal-kompatibler Pinbelegungs- und Befehlssatz
- Standard-Blockarchitektur
- Unterstützt Dual-I/O-, Quad-I/O- und XiP-Betrieb
- Kontinuierliche Lese-, Wrap- und Burst-Modi für XiP
Technische Daten
- Kompatibel mit serieller Peripherieschnittstelle (SPI)
- Unterstützt SPI-Modi 0 und 3 (1,1,1)
- Unterstützt dual-Eingangs- und dual-Ausgangsbetrieb (1,1,2)
- Unterstützt quad-Eingangs- und quad-Ausgangsbetrieb (1,1.4)
- Unterstützt den Betrieb im quad-XiP-Modus (Continuous-Read-Modus) (1.4.4 und 0,4.4)
- Maximale Betriebsfrequenz von 108 MHz
- Einzelversorgungsspannungen
- 2,7 V bis 3,6 V
- 2,5 V bis 3,6 V
- Unterstützt Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP, JDES216B)
- OTP-Speicher
- 3x geschützte programmierbare Sicherheitsregisterseiten (Seitengröße: 256 Bytes)
- Werkseitig programmierte 64-bit-UID-Register
- Hardware-Schreibschutz (WP-Pin)
- Software-Schreibschutz (programmierbare, nichtflüchtige Steuerregister)
- Programmieren und Löschen, Aussetzen und Wiederaufnehmen
- Byte-Programmiergröße von bis zu 256 Bytes
- Größe und Dauer löschen
- Einheitliche 4kByte-Blocklöschung (70 ms typisch)
- Einheitliche 32kByte-Blocklöschung (150 ms typisch)
- Einheitliche 64kByte-Blocklöschung (250 ms typisch)
- Vollständige Chip-Löschung (2 Sekunden typisch)
- Geringe Verlustleistung
- Maximaler Standby-Strom von 25 µA
- Maximaler Deep-Abschaltstrom von 12 µA
- Beständigkeit von 100.000 Programmier- und Löschzyklen
- 20 Jahre Datenhaltung
- Industrieller Temperaturbereich (-40 °C bis +85 °C)
- Umweltfreundliche (blei-/halogenfreie/RoHS-konforme) Industriestandard-Gehäuseoptionen
- 8-Pin-SOIC (3,8 mm breit und 5,3 mm tief)
- Extrem flaches 8-Pad-UDFN (2 mm x 3 mm x 0,6 mm)
- Die-Wafer-Form
Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2023-10-04
| Aktualisiert: 2023-11-08