Qorvo QPD2018D 180um Diskretes GaAs-pHEMT-Plättchen
Das QPD2018D 180um Diskrete GaAs-pHEMT-Plättchen von Qorvo nutzt Qorvos bewährten Standard 0.25um Power-pHEMT-Produktionsprozess. Dieser bewährte Prozess verfügt über fortschrittliche Techniken zur Optimierung der Mikrowellenleistung und des Wirkungsgrads bei hohen Drain-Bias-Betriebsbedingungen.
Das QPD2018D 180um Diskrete GaAs-pHEMT-Plättchen von Qorvo arbeitet von DC bis 20 GHz. Das QPD2018D bietet typischerweise eine Ausgangsleistung von 22 dBm bei P1 dB mit einer Verstärkung von 14 dB und einem Wirkungsgrad von 55 % bei 1 dB-Kompression, was ihn ideal für hocheffiziente Anwendungen macht. Die schützende Deckschicht aus Siliziumnitrid sorgt für Robustheit gegenüber Umwelteinflüssen und Kratzschutz.
Merkmale
- Frequenzbereich: DC bis 20 GHz
- 22 dBm Typische Ausgangsleistung P1 dB
- 14 dB Typische Verstärkung bei 12 GHz
- 55 % Typische PAE bei 12 GHz
- 1 dB Typischer NF bei 12 GHz
- Keine Durchkontaktierungen
- 0,25um GaAs pHEMT-Technologie
- 0,41 mm x 0,34 mm x 0,10 mm Chip-Abmessungen
- Bleifrei und RoHs-konform
Applikationen
- Kommunikation
- Radar
- Punkt-zu-Punkt-Funk
- Satellitenkommunikationssysteme
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-07
| Aktualisiert: 2022-03-11