Qorvo QPD1016LEVB01 Evaluierungsboard
Das QPD1016LEVB01 Evaluierungsboard von Qorvo ist eine Demonstrations- und Entwicklungsplattform für den QPD1016L-GaN-RFTransistor. Der QPD1016L ist ein vorangepasster, diskreter Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (GaN-auf-SiC-HEMT) mit einer Leistung von 500 W (P3dB), der von DC bis 1,7 GHz arbeitet. Der QPD1016L bietet eine lineare Verstärkung von 18 dB bei 1,3 GHz und eine Drain-Effizienz von 67 % bei 3 dB Kompression. Das Bauteil kann gepulste und lineare Vorgänge unterstützen.
Das QPD1016LEVB01 Evaluierungsboard von Qorvo enthält einen vorinstallierten QPD1016L RF-Transistor in einem standardmäßigen NI-780-Luftkammergehäuse. Das Evaluierungsboard bietet eine Beispiel-Applikations-Schaltung, die ein schnelles Prototyping bei einem Einsatz in bestehende Designs ermöglicht.
Merkmale
- Vorinstallierter QPD1016L HF-Transistor
- RO4350B 0,020" Dicke mit 2- oz Kupferverkleidung
- PCB von 3,98 Zoll x 3,98 Zoll
Unterstütztes Bauteil
Qorvo QPD1016L GaN-HF-Transistor
Diskreter 500W -GaN-auf-SiC-HEMT (P3dB), der von 420 MHz bis 450 MHz betrieben wird.
Board-Layout
Veröffentlichungsdatum: 2022-07-11
| Aktualisiert: 2022-07-14