Qorvo QPD1006 GaN-HF-IMFET-Transistor
Der GaN-HF-Transistor QPD1006 (IMFET) von Qorvo ist ein 450-W-GaN-SiC-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT). Der QPD1006-Transistor arbeitet im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz und einer 50-V-Versorgungsschiene. Dieses Bauteil kann einen gepulsten und kontinuierlichen Wellenbetrieb (CW) unterstützen. Der QPD1006-Transistor von Qorvo ist ein GaN-IMFET, der vollständig an 50Ω angepasst ist und in einem Luftkammergehäuse nach Industriestandard untergebracht ist. Dieser IMFET-Transistor ist ideal für militärische und zivile Radargeräte geeignet.
Merkmale
- Betriebsfrequenzbereich: 1,2 GHz bis 1,4 GHz
- Ausgangsleistung: 313 W (CW) und 468 W (gepulste) (P3 dB)
- Lineare Verstärkung: 17,5 dB (CW) und 17,8 dB (gepulst)
- 55 % (CW) und 62,2 % (gepulst) typischer DEFF3 dB
- Betriebsspannung: 45 V (CW) und 50 V (gepulst)
- Gehäuse mit niedrigem thermischem Widerstand
- Impuls-fähig bei 1,3 GHz und +25 °C
Applikationen
- Militär-Radar
- Zivil-Radar
Funktionales Blockdiagramm
Kennlinie
Mechanische Abmessungen
Dazugehöriges Evaluierungsboard
Qorvo QPD1006 Evaluierungsboard
Entwickelt zur Evaluierung des 450-W-GaN-auf-SiC-HEMT QPD1006, der im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4GHz arbeitet.
Veröffentlichungsdatum: 2020-07-17
| Aktualisiert: 2024-08-22