Qorvo QPD0005M JFET-HF-Transistoren
Qorvo QPD0005M JFET HF-Transistoren sind diskrete Einzelpfad-GaNs auf dem SiC-HEMT in einem umspritzten DFN-Gehäuse aus Kunststoff. Die Transistoren werden von 2,5 bis 5,0 GHz betrieben. Die Bauteile sind einstufige, unangepasste Transistoren, die bei einem Betrieb von +48 V einen PSAT von 5,9 W liefern können.
Merkmale
- Betriebsfrequenzbereich von 2,5 bis 5,0 GHz
- Betriebs-Drain-Spannung: +48 V
- Maximale Ausgangsleistung (PSAT) bei 3,6 GHz: 37,7 dBm
- Maximaler Drain-Wirkungsgrad bei 3,6 GHz: 74,1 %
- Auf Wirkungsgrad abgestimmte P3dB-Gain bei 3,6 GHz: 18,6 dB
- DFN-Gehäuse von 4,5 mm x 4,0 mm
Applikationen
- WCDMA/LTE
- Mikrozellen-Basisstation
- Mikrozellen-Basisstation
- Kleinzellen
- Aktive Antenne
- Massive 5G-MIMO
- Universal-Applikationen
Veröffentlichungsdatum: 2021-10-25
| Aktualisiert: 2022-03-25