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onsemi Qorvo UF3SC Hochleistungs-SiC-FETs in D2-PAK

Qorvo UF3SC Hochleistungs-SiC-FETs in D2-PAK-7L (7-poliges Kelvin-Gehäuse) basieren auf einer einzigartigen „Kaskoden“-Schaltungskonfiguration und zeichnen sich durch eine hervorragende Sperrverzögerung aus. Diese  Schaltung enthält ein im Normalzustand leitendes SiC JFET, das zusammen mit einem Si MOSFET in einem Gehäuse kombiniert wird, um ein im Normalzustand gesperrtes SiC FET Bauelement zu erzeugen. Die UF3SC-FETs verfügen über Standard-Gate-Treibereigenschaften, die einen echten “Drop-in Ersatz” für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Super-Junction-Bauelemente ermöglichen. Diese Hochleistungs-SiC-FETs arbeiten bei einer maximalen Temperatur von 175°C, einer niedrigen Gate-Ladung von 43nC und einer typischen Schwellenspannung von 5 V. Typische Applikationen sind  Telekommunikations- und Serverstromversorgung, Motorantriebe, Induktionserwärmung und industrielle Stromversorgungen.

Merkmale

  • 650 V 30 mΩ und 40 mΩ; und 1200 V 40 mΩ
  • ESD-geschützt und HBM-Klasse 2
  • Gate-Treiber-Eigenschaften mit Drop-in-Ersatz
  • Maximale Betriebstemperatur von +175 °C
  • Niedrige Gate-Ladung von 43nC
  • Schwellenspannung: 5 V typisch
  • Kelvin Quellen-Pin für optimiertes Schaltverhalten

Applikationen

  • Telekommunikations- und Serverleistung
  • Motorantriebe
  • Induktionserwärmung
  • Industrienetzteile
  • Blindleistungskompensationsmodule

Gehäuseabmessungen

Ressourcen

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Teilnummer Datenblatt Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Pd - Verlustleistung Abfallzeit Anstiegszeit Regelabschaltverzögerungszeit Typische Einschaltverzögerungszeit
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S Datenblatt 650 V 43 A 42 mOhms 195 W 9 ns, 12 ns 24 ns, 27 ns 45 ns, 47 ns 22 ns
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S Datenblatt 1.2 kV 47 A 35 mOhms 214 W 7 ns, 8 ns 12 ns, 13 ns 47 ns 37 ns
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S Datenblatt 650 V 62 A 27 mOhms 214 W 11 ns, 9 ns 26 ns, 28 ns 46 ns 23 ns
Veröffentlichungsdatum: 2021-05-27 | Aktualisiert: 2025-07-25