onsemi NTMFSC PowerTrench® MOSFETs
Die onsemi PowerTrench®-MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(on) bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer hervorragenden Schaltleistung durch einen extrem niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Umgebungswiderstand (θJA). Dies wird aufgrund der Fortschritte bei sowohl Silizium- als auch Dual Cool™-Gehäusetechnologien ermöglicht. Die PowerTrench®-MOSFETs werden in einem zu 100 % UIL-geprüften und RoHS-konformen DFN-8-Gehäuse geliefert. Zu den typischen Applikationen gehören synchrone Gleichrichter, AC/DC-Netzteile, primärer MOSFET auf isoliertem 48-V-Wandler und isolierte DC/DC-Wandler.
Merkmale
- Dual Cool™-PQFN-Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite
- Hochleistungstechnologie für einen extrem niedrigen RDS(on)
- Max. RDS(on) = 4 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 44 A
- Max. RDS(on) = 8,5 mΩ bei VGS = 6 V, ID = 22 A
- Verbesserte thermische Leistung
- Niedrige Leitungs- und Schaltverluste
- 100 % UIL-getestet
- RoHS-konform
Applikationen
- Synchrongleichrichter
- AC/DC-Netzteile
- Primäre MOSFET auf isolierten 48-V-Wandlern
- Isolierte DC/DC-Wandler
Konfiguration
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onsemi PowerTrench® MOSFETs
Umfangreiches Portfolio von n-Kanal- und p-Kanal-Versionen für eine niedrige RDS(ON)-Schaltleistung.
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| NTMFSC004N08MC |  |
MOSFETs 80V PTNG IN 5X6 DUALCOOL |
| NTMFSC010N08M7 | |
MOSFETs MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC |
| NTMFSC4D2N10MC | |
MOSFETs 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL |
Veröffentlichungsdatum: 2020-07-01
| Aktualisiert: 2024-11-07