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onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs sind leistungsstarke Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von 650 V mit einem typischen RDS(on) von 23 mΩ und hervorragenden thermischen und Schalteigenschaften. Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine niedrige effektive Ausgangskapazität, einen hohen Wirkungsgrad, schnelles Schalten und eine extrem niedrige elektrische Gate-Ladung aus. Die MOSFETs NxT2023N065M3S unterstützen kontinuierliche Drainströme von bis zu 72 A und arbeiten in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Diese MOSFETs sind RoHS-konform, halogenfrei und in einem kompakten T2PAK-7L-Gehäuse untergebracht. Der EliteSiC MOSFET der Baureihe NVT2023N065M3S ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich daher hervorragend für Applikationen in Automobilqualität wie On-Board-Ladegeräte und DC/DC-Wandler in EV/HEV-Plattformen. Der EliteSiC-MOSFET der Baureihe NTT2023N065M3S eignet sich für SMPS, Solarumrichter, USV, Energiespeicher, und Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge.

Merkmale

  • Typischer RDS(on) = 23 mΩ bei VGS = 18 V
  • Niedrige effektive Ausgangskapazität
  • Ultra-geringe Gate-Ladung
  • Der NVT2023N065M3S ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.
  • Zu 100 % UIS-getestet
  • Halogenfrei und RoHs-konform mit Ausnahme von 7a
  • Bleifrei 2LI (bei Zusammenschaltung auf zweiter Ebene)
  • T2PAK-7L mit CASE 763AC-Gehäuse

Applikationen

  • NTT2023N065M3S:
    • Für Industrieapplikationen ausgelegt, wie z. B.:
      • Schaltnetzteile (Switched-Mode Power Supplies, SMPS)
      • Solarumrichter
      • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
      • Energiespeicher
      • EV-Ladeinfrastruktur
  • NVT2023N065M3S:
    • Automotive-qualifiziert (AEC-Q101-konform):
      • On-Board- und Off-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
      • DC/DC-Wandler für Fahrzeuge für EV/HEV-Systeme

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung: 650 V
  • Gate-Source-Spannung: –8 V/+22 V
  • 72 A bei 25 °C und 53 A bei 100 °C Dauersenkenstrom
  • Verlustleistung von 288 W bei TC = 25 °C
  • 174 A gepulster Drainstrom
  • Thermischer Widerstand (RJC): 0,52 °C/W
  • Ultra-niedrige Gate-Ladung von 74 nC
  • Einschaltverzögerung von 24 ns, Ausschaltverzögerung von 50 ns bei 25 °C
  • EON = 98 µJ, EOFF = 29 µJ, geringe Schaltverluste beim Ein- und Ausschalten
  • Breiter Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

Schaltbild

Applikations-Schaltungsdiagramm - onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

Maßbild

Technische Zeichnung - onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

Datenblätter

Veröffentlichungsdatum: 2025-10-30 | Aktualisiert: 2025-12-04