onsemi NxHL080N120SC1 n-Kanal-SiC-MOSFETs
onsemi NxHL080N120SC1 n-Kanal-SiC-MOSFETs sind 1.200 V, 80 mΩ SiC-MOSFETs, die eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit bieten. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und sind in kompakter Chip-Größe verfügbar, die eine niedrige Kapazität und niedrige Gate-Ladung gewährleistet. Die NxHL080N120SC1 MOSFETs verfügen über einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, ein Hochgeschwindigkeitsschalten, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Diese MOSFETs werden in TO247-3L-/TO247-3LD-Gehäusen geliefert. Die NVHL080N120SC1 und NVHL080N120SC1A MOSFETs sind gemäß AEC-Q101 für Fahrzeuganwendungen qualifiziert.Merkmale
- 1.200 V VDSS bei TJ = 150 °C
- 80 mΩ Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)) (typisch)
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- 100 % UIL-getestet
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich:
- -55 °C bis +150 °C (für NTHL080N120SC1)
- -55 °C bis 175 °C (für NVHL080N120SC1 UND NVHL080N120SC1A)
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- NVHL080N120SC1:
- Automotive-Hilfsmotorantrieb
- Automotive-On-Board-Ladegerät
- Automotive-DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge (EV) / Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV)
- NTHL080N120SC1:
- Industrie-Motorantrieb
- USV
- Verstärkender Wechselrichter
- Photovoltaik-Ladegerät (PV)
- NVHL080N120SC1A:
- Automotive-On-Board-Ladegerät
- Automotive-DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge (EV)/Hybrid-EV (HEV)
Videos
NxHL080N120SC1 Leistungsdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2019-03-03
| Aktualisiert: 2024-01-19
