onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule

Onsemi   NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule sind 1.200 V, 800 A eingestufte Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodule. Diese Module enthalten Field-Stop-Trench-7-IGBTs und Gen-7-Dioden für geringe Leitungs- und Schaltverluste. Dies ermöglicht Designern einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit. Zu den typischen Applikationen gehören Motorantriebe, Servoantriebe, kommerzielle Landwirtschaftsfahrzeuge (CAV), Solarantriebe und USV.

Die NXH800H120L7QDSG QDual3-IGBT-Module von onsemi sind mit einer isolierten Grundplatte und einem niedrigen induktiven Layout ausgelegt. Diese IGBT-Module eignen sich hervorragend für den Einsatz in Motorantrieben, Servoantrieben, Solarantrieben und unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen (USV).

Merkmale

  • 1.200 V Kollektor-emitter-Spannung (VCES)
  • Dauerkollektorstrom (IC): 800 A
  • 2-in-1-Halbbrücken-Konfigurations-IGBT-Leistungsmodul
  • Field-Stop-Trench-7-IGBTs und Gen-7-Dioden
  • NTC-Thermistor
  • Isolierte Grundplatte
  • Lötbare Pins
  • Niedriges induktives Layout
  • Bleifreies Bauteil

Applikationen

  • Motorantriebe
  • Servoantriebe
  • Landwirtschaftliche Nutzfahrzeuge (CAV)
  • Solarantriebe
  • USV

Schaltschema

Schaltplan - onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule
Veröffentlichungsdatum: 2024-07-29 | Aktualisiert: 2025-05-14