onsemi NXH600B100H4Q2F2SG Si-/SiC-Hybridmodul
Das onsemi NXH600B100H4Q2F2SG Si-/SiC-Hybridmodul ist ein symmetrisches Dreikanal-Aufwärtsmodul. Jeder Kanal enthält zwei 1000 V, 200 A IGBTs und zwei 1200 V, 60 A SiC-Dioden. Das Modul enthält auch einen NTC-Thermistor. Zu den Applikationen gehören Solarwechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme.
Merkmale
- Extrem effizienter Trench mit Field-Stop-Technologie
- Geringer Schaltverlust reduziert die Systemverlustleistung
- Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
- Niedriges induktives Layout
- Niedrige Gehäusehöhe
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Solar-Wechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme
- MPPT-Aufwärtsstufen
Technische Daten
- IGBT (T11, T21, T12, T22, T13, T23)
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 1000 V
- Maximale Gate-Emitter-Spannung: ±20 V
- Maximale positive, transiente Gate-Emitter-Spannung: 30 V
- Maximaler Kollektordauerstrom: 192 A
- Maximaler gepulster Kollektorspitzenstrom: 576 A
- Maximale Verlustleistung: 511 W
- IGBT-Inversdiode (D11, D21, D12, D22, D13, D23)
- Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1200 V
- Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom: 66 A
- Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 198 A
- Maximale Verlustleistung: 101 W
- Siliziumkarbid-Schottky-Diode (D31, D41, D32, D42, D33, D43)
- Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1200 V
- Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom: 73 A
- Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 219 A
- Maximale Verlustleistung: 217 W
- Maximale Kriechstrecke: 12,7 mm
- Temperaturbereiche
- -40 °C bis +175 °C Anschluss
- -40 °C bis +150 °C Betrieb unter Schaltbedingungen
Schaltschema
Weitere Infos zu EliteSiC
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-30
| Aktualisiert: 2024-08-08