onsemi EliteSiC Halbbrückenmodule NXH00xP120M3F2PTxG
Die Halbbrückenmodule NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC von onsemi sind 2er-Packs mit zwei 3 mΩ oder 4 mΩ 1200V SiC MOSFET-Schaltern und einem Thermistor mit Zirkoniumdioxid-dotiertem Aluminiumoxid (HPS) direkt gebundenem Kupfer (DBC) oder Siliziumnitrid (Si3N4) DBC. Die SiC-MOSFET-Schalter im F2-Gehäuse nutzen die M3S-Technologie und verfügen über einen Gate-Drive-Bereich von 15 V bis 18 V. Zu den Applikationen gehören DC/AC-, DC/DC- und AC/DC-Wandlungen.
Merkmale
- 1200-V-M3S-SiC-MOSFET-Halbbrücken mit 3 mΩ oder 4 mΩ
- F2-Gehäuseoptionen
- Zirconia Doped Alumina (HPS) mit direkt verklebtem Kupfer (DBC)
- Siliziumnitrid (Si3N4) Direct Bonded Copper (DBC)
- Gate-Drive-Bereich von 15 V bis 18 V
- Thermistor
- Vorinstalliertes Wärmeschnittstellenmaterial (TIM)
- Press-Fit-Pins
- Bleifrei, halogenfrei und RoHs-konform
Applikationen
- Solarwechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV)
- Industrieleistung
Datenblätter
- EliteSiC, 3-mΩ-SiC-M3-MOSFET, 1200 V, 2-Pack, Halbbrücken-Topologie
- NXH003P120M3F2PTHG, F2-Gehäuse mit HPS-DBC
- NXH003P120M3F2PTNG, F2-Gehäuse mit Si3N4-DBC
- EliteSiC, 4-mΩ-SiC-M3-MOSFET, 1200 V, 2-Pack, Halbbrücken-Topologie
- NXH004P120M3F2PTHG, F2-Gehäuse mit HPS-DBC
- NXH004P120M3F2PTNG, F2-Gehäuse mit Si3N4-DBC
Schaltplan
Pin-Anschlüsse
Zugehörige Lösungen
onsemi und Würth Elektronik Solar-Wechselrichter-Lösungen
Bauteillösungen zur Erfüllung der Bedürfnisse von anspruchsvollen Applikationen wie Solar-Wechselrichtern.
Weitere Infos zu EliteSiC
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2023-11-20
| Aktualisiert: 2024-06-18