onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET
Der MOSFET NVTFWS1D9N04XM von onsemi bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten Gehäuse. Der MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 40 V, einen Dauersenkenstrom von 141 A und einen Drain-Source-Widerstand von 1,9 mΩ bei 10 V. Der NVTFWS1D9N04XM MOSFET von onsemi ist in einem µ8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm sowie einem kleinen Footprint untergebracht und eignet sich hervorragend für Motorantriebe, Batterieschutzsysteme und Synchrongleichrichtungsapplikationen.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Kleiner Footprint (3,3 mm x 3,3 mm) mit kompaktem Design
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Motortreiber
- Batterieschutz
- Synchrongleichrichtung
Technische Daten
- 40 V Drain-Source-Spannung
- 1,9 mΩ Drain-Source-On-Widerstand bei 10 V
- 141 AA Dauersenkenstrom
Gehäusetyp
Thermische Einschwingzeit
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-10
| Aktualisiert: 2025-04-28