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onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi hat eine Drain-Source Durchschlagspannung (V(BR)DSS) von 30 V (min.) und einen Dauersenkenstrom (ID)-Nennwert von 3,3 A. Er verfügt über einen niedrigen RDS(on) von 200 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 1,5 A), um Leitungsverluste zu minimieren. Er verfügt auch über eine niedrige Eingangskapazität (CISS) von 89 pF. Das Bauteil ist mit einer benetzbaren Flanke und einem ESD-geschützten Gate ausgestattet. Der NVNJWS200N031L von onsemi ist AEC-Q101-qualifiziert und PAP-fähig.

Merkmale

  • Niedriger RDS(on) und niedrige Gate-Schwelle
  • Niedrige Eingangskapazität
  • ESD-geschütztes Gate
  • Benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion
  • AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • Dieses Bauteil ist bleifrei

Applikationen

  • Low-Side-Lastschalter
  • DC-DC-Wandler (Buck-Boost-Schaltungen)

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung (VDSS) von 30 V
  • Gate-Source-Spannung (VGS) von ±8 V
  • Dauersenkenstrom (ID) von 2,2 A (TC = 25 °C), 1,5 A (TC = 100 °C)
  • Verlustleistung (PD) von 1,8 W (TC = 25 °C), 0,9 W (TC = 100 °C)
  • Gepulster Drainstrom (IDM) von 25 A (tp = 10 µs)
  • Sperrschicht-Betriebstemperatur und Lagertemperatur (TJ, Tstg) von -55 °C bis 175 °C
  • Leitungstemperatur für Lötzwecke (TL) von 260 °C
  • Drain-Source-On-Widerstand (RDS(on))
    • VGS = 4,5 V, ID = 1,5 A: 153 mΩ (typ.)
    • VGS = 3 V, ID = 0,5 A: 185 mΩ (typ.)

Schaltungsdiagramm

Schaltplan - onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-01 | Aktualisiert: 2025-10-14