onsemi NVMFWS0D4N04XM Einzelne Leistungs-MOSFETs mit N-Kanal
Die Leistungs-MOSFETs NVMFWS0D4N04XM mit N-Kanal von onsemi sind in einem 5 mm x 6 mm SO8-FL-Gehäuse mit kompaktem Design erhältlich. Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 40 V, eine Gate-Source-Spannung von ±20 V und eine Verlustleistung von 197 W (TC = 25 °C) aus. Die Leistungs-MOSFETs der Baureihe NVMFWS0D4N04XM bieten einen niedrigen Widerstand (RDS(on)) zur Minimierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Die NVMFWS0D4N04XM Leistungs-MOSFETs sind blei-, halogen- sowie BFR-frei und RoHs-konform. Typische Applikationen sind Motorantriebe, Batterieschutz, Verpolungsschutz, Synchrongleichrichtung, Schaltnetzteile und Leistungsschalter.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste
- AEC-Q101-qualifiziert
- PPAP-fähig
- Blei-, halogen- und BFR-frei
- RoHS-konform
- SO8-FL-Gehäuse mit kompaktem Design von 5 mm x 6 mm
Applikationen
- Motortreiber
- Batterieschutz
- Synchrongleichrichtung
- Batterie
- Schaltnetzteile
- Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücken usw.)
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung von 40 V
- Gate-Source-Spannung von ±20 V
- Verlustleistung von 197 W (TC = 25 °C)
- Einzelimpuls-Avalanche-Energie von 2.396 mJ
- Sperrschicht-Betriebs- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
n-Einkanal-MOSFET
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-25
| Aktualisiert: 2026-04-09