onsemi NVMFWS003N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs
Die N-Einkanal-Leistungs-MOSFETs NVMFWS003N10MC von onsemi bieten einen Dauersenkenstrom von 169 A, einen RDS(ON) von 3,1 mΩ bei 10 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Der NVMFWS002N10MCL ist in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.
Merkmale
- Kleiner Footprint (5 mm x 6 mm) für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Produkt mit benetzbarer Flanke
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, Beryllium-frei und RoHS-konform
Applikationen
- 48V-Systeme
- Schaltnetzteile
- Batterie-Verpolungsschutz
- Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücken usw.)
Technische Daten
- Maximaler Dauersenkenstrom: 169 A
- RDS(ON) max. von 3,1 mΩ bei 10 V oder 3,8 mΩ bei 4,5 V
- Drain-Source-Spannung: 100 V
- Gate-Source-Spannung: ±20 V
- 900 A gepulster Drainstrom
- Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Typische Applikation
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-03
| Aktualisiert: 2024-01-11