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onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind kompakte Lösungen mit hohem Wirkungsgrad, die für anspruchsvolle Leistungsschaltapplikationen ausgelegt sind. Diese MOSFETs haben niedrige RDS(on) -Werte und schnelle Schalteigenschaften, wodurch sich die NVMFDx von onsemi hervorragend für den Einsatz in DC/DC-Wandlern, Motorantrieben und Batteriemanagementsystemen eignen. Diese MOSFETs sind in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse untergebracht und unterstützen eine hohe Strombelastbarkeit und thermische Leistung, die für Fahrzeuganwendungen sowie Industrie- und Unterhaltungselektronik entscheidend ist. Jede Ausführung bietet verschiedene Strom- und Widerstandsprofile, um spezifische Design-Anforderungen zu erfüllen, während gleichzeitig robuste Avalanche-Energiewerte und eine niedrige Gate-Ladung für einen verbesserten Wirkungsgrad und eine verbesserte Zuverlässigkeit in Hochleistungssystemen aufrechterhalten werden.

Merkmale

  • Kleiner 5 mm x 6 mm Footprint für kompakte Designs
  • Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
  • Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
  • AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • DFN-8-Gehäuse mit benetzbaren Flanken
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, Beryllium-frei
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Automobilsysteme
    • Elektrische Servolenkung
    • LED-Beleuchtung
    • Elektronische Steuereinheiten (ECUs)
  • DC/DC-Wandler
    • Point-Of-Load-Wandler (POL)
    • Mittlere Bus-Architekturen
  • Motorsteuerung
    • Robotik
    • Automatisierung
  • Batteriemanagement
    • Batterieschutz
    • Ladeschaltungen
  • Netzteile

Technische Daten

  • 100 V Drain-Source-Durchschlagspannung
  • 10,4 mΩ bis 39 mΩ Drain-Source-Widerstandsbereich
  • 20 V Gate-Source-Spannung
  • 3 V Gate-Source-Schwellenspannung
  • 21 A bis 61 A Dauersenkenstrombereich
  • 36 W bis 84 W Verlustleistungsbereich
  • Gate-Ladungsbereich: 4 nC bis 26 nC
  • 4,6 ns bis 11 ns typischer Einschaltverzögerungszeitbereich
  • 1,7 ns bis 5,2 ns Anstiegszeitbereich
  • 15 ns bis 32 ns typischer Ausschaltverzögerungszeitbereich
  • 3 ns bis 5,5 ns Abfallzeitbereich
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
  • +260 °C Spitzenlöttemperatur

Datenblätter

Schaltschema

Schaltplan - onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2025-05-29 | Aktualisiert: 2025-06-08