onsemi NVHL025N65S3 n-Kanal-SUPERFET® III
Der NVHL025N65S3 n-Kanal-SUPERFET® III von onsemi ist ein einfach anzutreibender Hochspannungs-Superjunction-(SJ)-MOSFET, der die Ladungsausgleich-Technologie nutzt. Dieser SUPERFET bietet einen hervorragenden niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige Gateladungs-Leistung. Der NVHL025N65S3 SUPERFET reduziert den Leitungsverlust, bietet ein gutes Schaltverhalten und kann einer extremen dv-/dt-Rate standhalten. Dieser SUPERFET bewältigt EMI-Probleme und ermöglicht eine einfache Design-Implementierung. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-DC/DC-Wandler und Automotive-On-Board-Ladegeräte für PHEV-BEV.
Merkmale
- Gute Schaltleistung
- Widersteht extreme dv-/dt-Raten
- Bewältigt EMI-Probleme
- Ermöglicht eine einfache Design-Implementierung
- AEC-Q101-qualifiziert
- Niedrige effektive Ausgangskapazität
- 100 % Stoßentladungs-getestet
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Automotive-PHEV-(Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeug)-BEV-(Batterie-Elektrofahrzeug)-DC/DC-Wandler
- Automotive-On-Board-Ladegeräte für PHEV–BEV
Technische Daten
- 650 V Drain-zu-Quellen-Durchschlagspannung (BVDSS) (min.)
- 25 mΩ statischer Drain-zu-Quellen-Einschaltwiderstand (RDS(on)) bei 10 V (max.)
- 75 A Drainstrom (ID) (max.)
- 236 nC Low-Gate-Ladung (QG) (typisch)
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
- TO-247-3LD-Gehäuse
NVHL025N65S3 Leistungsdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2019-03-03
| Aktualisiert: 2024-01-19