onsemi NVH4L095N065SC1 Siliziumkarbid (SIC)-MOSFETs
Die NVH4L095N065SC1 Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von onsemi verfügen über eine fortschrittliche Technologie für bessere Schaltleistung und Zuverlässigkeit. Der NVH4L095N065SC1 von onsemi hat einen niedrigen ON-Widerstand und eine kompakte Chipgröße, was zu einer geringeren Kapazität und Gate-Ladung führt. Darüber hinaus verfügt das Bauteil über einen hohen Wirkungsgrad, einen schnellen Betrieb, eine erhöhte Leistungsdichte, weniger EMI und eine kleinere Systemgröße.
Merkmale
- Typ. RDS(on) = 70 m bei VGS = 18 V
- Typ. RDS(on) = 95 mΩ bei VGS = 15 V
- Ultra-niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 50 nC)
- Niedrige Ausgangskapazität (Coss = 89 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Dieses Bauteil ist bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Automotive-On-Board-Ladegerät
- Automotive-DC/DC-Wandler für EV/HEV
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Hochleistungsbauteile mit außergewöhnlichen Eigenschaften.
Weitere Infos zu EliteSiC
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2023-11-08
| Aktualisiert: 2024-06-18