onsemi NVH4L015N065SC1 Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs
onsemi NVH4L015N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs bieten im Vergleich mit Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Der NVH4L015N065SC1 von onsemi zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus, und die kompakte Chip-Größe sorgt für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine kleinere Systemgröße.Merkmale
- Qualifiziert für Fahrzeuganwendungen gemäß AEC-Q101
- 650 V eingestuft
- Maximaler RDS(on) = 18 mΩ bei VGS = 18 V, ID = 75 A
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung und niedrige Kapazität
- 100 % UIL-getestet
- Die Bauteile sind RoHs-konform
Applikationen
- Automotive-DC/DC und -PFC
- Automotive-Traktionswechselrichter
Veröffentlichungsdatum: 2023-01-05
| Aktualisiert: 2024-06-18
