onsemi NVH4L015N065SC1 Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

onsemi NVH4L015N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs bieten im Vergleich mit Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Der NVH4L015N065SC1 von onsemi zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus, und die kompakte Chip-Größe sorgt für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine kleinere Systemgröße.

Merkmale

  • Qualifiziert für Fahrzeuganwendungen gemäß AEC-Q101
  • 650 V eingestuft
  • Maximaler RDS(on) = 18 mΩ bei VGS = 18 V, ID = 75 A
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltung und niedrige Kapazität
  • 100 % UIL-getestet
  • Die Bauteile sind RoHs-konform

Applikationen

  • Automotive-DC/DC und -PFC
  • Automotive-Traktionswechselrichter
Veröffentlichungsdatum: 2023-01-05 | Aktualisiert: 2024-06-18