onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
Der onsemi NVBYST0D6N08X n-Kanal-Leistungs-MOSFET von 80 V bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool). Dieser MOSFET bietet einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung der Leitungsverluste sowie einen niedrigen QG und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Das Bauteil NVBYST0D6N08X von onsemi ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig, bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikation für diesen MOSFET gehören Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC- und AC/DC-Wandlern, Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, Motorantriebe und Fahrzeugsysteme mit 48 V.
Merkmale
- Niedrigen QRR, Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Niedriger QG und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Bleifrei, halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC und AC/DC
- Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern
- Motorantriebe
- Fahrzeugsysteme mit 48V
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 80 V (max.)
- Gate-Source-Spannung (VGS): 20 V (max.)
- Dauersenkenstrom (ID): 767 A (max.) bei TC = +25 °C, 542 A bei TC = +100 °C
- Verlustleistung (PD): 750 W (max.) bei +25 °C
- Gepulster Drainstrom (IDM): 2443 A (max.) bei TC = 25 °C, tp = 100 µs
- Betriebssperrtemperatur (Tj) und Lagertemperaturbereich (Tstg): -55 °C bis +175 °C
- Drain-Source-On-Widerstand [RDS(on)]: 0,56 mΩ (typisch) (VGS= 10 V, ID = 80 A, TJ = +25 °C)
- Eingangskapazität (CISS): 16.419 pF (typisch) (VDS = 40 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz)
- Ausgangskapazität (COSS): 4654 pF (typisch) (VDS = 40 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz)
- Gate-Gesamtladung [QG(TOT)]: 228 nC (typisch) (VDD = 40 V, ID = 80 A, VGS = 10 V)
Schaltung/Markierungsdiagramme
Veröffentlichungsdatum: 2025-11-24
| Aktualisiert: 2025-12-26