onsemi NVBLS1D5N10MC n-Kanal PowerTrench®-MOSFET
Der NVBLS1D5N10MC n-Kanal-PowerTrench® -MOSFET von onsemi zeichnet sich durch hohe thermische Leistung und einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten aus. Das NVBLS1D5N10MC ist nach AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig und eignet sich somit hervorragend für Fahrzeuganwendungen.
Der MOSFET NVBLS1D5N10MC von onsemi ist in einem TOLL-Gehäuse mit einem Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C erhältlich.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Geringe QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Verringert Schaltrauschen/EMI
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Batterie-Verpolungsschutz
- Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücken usw.)
Technische Daten
- Maximaler Dauersenkenstrom: 300 A
- 1,5 mΩ bei 10 V RDS(ON) (max.)
- Drain-Source-Spannung: 100 V
- Gate-Source-Spannung: ±20 V
- 900 A gepulster Drainstrom
- Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Typische Applikation
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Veröffentlichungsdatum: 2023-12-26
| Aktualisiert: 2024-11-07