onsemi NTTFS008P03P8Z p-Kanal Leistungs-MOSFET
Der p-Kanal Leistungs-MOSFET NTTFS008P03P8Z von onsemi verfügt über -30 V (VDSS), -96 A (ID), 50 W und einen extrem niedrigen RDS(on) von 3,8 mΩ bei -10 V für einen verbesserten Systemwirkungsgrad. Dieser MOSFET verwendet eine fortschrittliche Gehäusetechnologie in einem PQFN8-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm für Platzersparnis und eine hervorragende Wärmeleitung. Das PQFN8-Gehäuse ist bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform. Der MOSFET NTTFS008P03P8Z von onsemi eignet sich typischerweise für Leistungslastschalter, Batteriemanagement, Notebook-PCs, Tablets, Smartphones, Drohnen, Stromversorgungen und kabelloses Laden.
Merkmale
- Extrem niedriger RDS(on) zur Verbesserung des Systemwirkungsgrads
- PQFN8-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm mit fortschrittlicher Gehäusetechnologie
- Halogenfrei, BFR-frei und RoHS-konform – bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Applikationen
- Leistungslastschalter
- Schutzfunktionen (Rückstrom, Überspannung und negative Sperrspannung)
- Batteriemanagement
- Notebook-PCs, Tablets, Smartphones und Drohnen
- DC-Lüfter, Stromversorgungen, USB-Power-Delivery(PD)-Adapter und kabelloses Laden
Veröffentlichungsdatum: 2020-08-07
| Aktualisiert: 2024-05-28